AI与HPC芯片功耗持续攀升，先进封装散热需求同步升温，也让过去主要应用在电动车、再生能源与功率半导体的碳化硅(SiC)，开始切入AI先进封装新战场。随着应用版图扩大，SiC产业也加速朝12吋大尺寸发展，包括Resonac、住友金属矿山以及台厂盛新等业者近期接连宣布技术突破，单晶、键合与多晶SiC等不同技术路线同步升温，12吋SiC路线战正式开打。

Resonac日前宣布，已成功长出并加工12吋SiC单晶基板，为目前全球开发中的最大尺寸SiC基板之一。Resonac此次特别点出新应用，如AI服务器与HPC，单晶SiC相较传统硅材料，具有高导热特性，因此除了作为功率半导体材料，也开始被AI芯片的散热应用所关注，有机会成为散热基板及先进封装使用，且因SiC具备高折射率特性，也具备切入AR智能眼镜等光学应用的潜力。

除了Resonac直接挑战12吋单晶SiC，另一条技术路线则是通过「键合」降低昂贵单晶SiC的使用量。住友金属矿山日前也宣布，成功开发12吋键合SiC基板，并已送样给半导体厂，为全球首款12吋键合SiC基板，并预计将在近日登场的ICSCRM 2026展示。业界指出，键合SiC的概念，是不再让整片基板都使用高成本单晶SiC，而是在较便宜的支撑基板上，键合一层高品质、极薄的单晶SiC功能层，在保留单晶SiC电性与材料特性的同时，大幅降低单晶材料耗用量。

住友金属曾表示，其SiC基板键合技术可通过直接键合方式，在维持单晶SiC特性的同时，达到低电阻、高强度等效果，目前6吋、8吋产品已可提供客户使用。公司先前的键合SiC也已用于SiC MOSFET。

另外，中国业者泰坦未来则宣布推出12吋的多晶SiC基板，同样锁定AI先进封装用的散热基板等高温散热等领域。不过，业界认为，多晶SiC本身无法直接取代单晶SiC，而是通过扮演键合SiC的底层材料，切入高导热、高温制程等应用，因此随着12吋键合SiC逐步发展，大尺寸多晶SiC的重要性也同步提高。

除了日本、中国业者，美国及台湾厂商也陆续投入，如美国龙头Wolfspeed早在今年1月就已展示12吋单晶SiC技术，在当时被视为是突破技术的里程碑，盛新材料也在近日揭露12吋SiC晶球的开发成果，应用同样以AI先进封装与AR智能眼镜市场为主。

过去SiC主要成长动能来自电动车逆变器、充电桩与能源基础建设，但随着AI需求崛起，SiC迎来新市场，一方面，AI数据中心需要高效率电源转换，持续拉升SiC功率组件需求；另一方面，GPU、ASIC等AI芯片功耗不断增加，也让高导热SiC有机会进一步进入芯片散热与先进封装材料领域。

业界认为，12吋SiC随着AI应用加入，业界竞争焦点正逐步转向「低成本、大尺寸同时高品质且高导热的SiC材料」，目前多家业者路线竞争升温，成为百家争鸣的新战场。